Учёные из Университета Ратгерс совершили прорыв в материаловедении, открыв новый класс материалов – «интеркристаллы», обладающие уникальными электронными свойствами. Как сообщается в исследовании, эти материалы созданы с использованием метода «твистроники»: два сверхтонких слоя графена, каждый толщиной в один атом, были слегка скручены и помещены на слой гексагонального нитрида бора. Это незначительное смещение слоёв создало узор, который кардинально изменил поведение […]
Объединённая команда учёных из Университета науки и техники Поханг (POSTECH, Южная Корея) и Университета электронной науки и техники Китая (UESTC) представила технологию создания p-типа транзисторов на основе перовскитных полупроводников. Результаты работы, опубликованные в журнале Nature Electronics, открывают путь к производству энергоэффективной электроники нового поколения, включая гибкие дисплеи и носимые устройства. Современные электронные системы требуют сбалансированного […]
Учёные из Пекинского университета представили транзистор, который может переопределить будущее микроэлектроники. Команда под руководством профессора Пенг Хайлина анонсировала кремниевый транзистор на основе двумерного материала — оксиселенида висмута (Bi2O2Se). Разработка использует архитектуру gate-all-around (GAAFET), где затвор полностью окружает канал, в отличие от частичного покрытия в традиционных FinFET-структурах. Это увеличивает площадь контакта, снижая утечку энергии и улучшая […]