Компания Kioxia представила обновлённую дорожную карту, раскрывающую планы развития своей технологии NAND-памяти. В центре внимания — 332-слойный чип, принадлежащий к десятому поколению BiCS FLASH, который, как заявлено, обеспечит 2 ТБ ёмкости на кристалл. Хотя это значение может показаться скромным по сравнению с ожиданиями, Kioxia намекает на возможность создания накопителей существенно большей ёмкости в рамках проекта […]
NAND-память
Samsung Electronics заключила соглашение с китайской Yangtze Memory Technologies (YMTC) на использование технологии гибридного соединения (hybrid bonding) при производстве 400-слойной NAND-флэш-памяти. Этот шаг, как сообщает южнокорейское издание ChosunBiz, позволит компании избежать патентных споров в процессе массового выпуска памяти следующего поколения. YMTC, основанная в 2016 году и базирующаяся в Ухане, является дочерней структурой государственного холдинга Tsinghua […]


