Объемы данных растут стремительно: к 2030 году, по прогнозам, мир накопит 175 зеттабайт информации. Компании ищут способы хранить эти массивы надежно, компактно и без лишних затрат. Ленточные хранилища LTO десятилетиями были стандартом для архивов, но их ограничения — короткий срок службы, медленный доступ и высокие расходы на обслуживание — становятся всё заметнее. Немецкая компания Cerabyte […]
Компания TeamGroup анонсировала накопитель T-CREATE MASTER Ai I5U U.2 PCIe 5.0 SSD ёмкостью 64 ТБ, предназначенный для корпоративного сектора. Новинка ориентирована на облачную инфраструктуру, обработку больших языковых моделей и ресурсоёмкие задачи искусственного интеллекта. Это первый выход TeamGroup в сегмент ультравысокой ёмкости, где уже присутствуют Western Digital с аналогичным SSD для AI и Nimbus Data с […]
Компания Samsung анонсировала выпуск своей первой линейки потребительских SSD-накопителей с поддержкой интерфейса PCIe Gen 5 – серии 9100 Pro. Эти устройства, построенные на базе протокола NVMe 2.0, появятся в продаже в марте и станут долгожданным выходом Samsung на рынок PCIe Gen 5 SSD, на котором такие производители как Seagate и Crucial представили свои решения почти два года […]
SanDisk, недавно отделившаяся от Western Digital, анонсировала выпуск нового высокопроизводительного SSD ёмкостью 128 ТБ, а также поделилась планами по созданию накопителя объёмом 1 петабайт в ближайшие годы. Новый накопитель UltraQLC DC SN670 будет использовать технологию QLC NAND и интерфейс PCIe 5.0. По заявлению SanDisk, он обеспечит на 68% более высокую скорость чтения и на 55% […]
Kioxia и SanDisk представили технологию производства флеш-памяти нового поколения. Компании анонсировали улучшенную версию 218-слойной 3D NAND-памяти с ускоренным интерфейсом и повышенной энергоэффективностью, а также поделились планами по разработке 332-слойной технологии. Партнёры по совместному предприятию продемонстрировали существенный прогресс в развитии технологии BiCS. Новое девятое поколение (BiCS 9) использует усовершенствованный интерфейс NAND в логическом слое CMOS в […]