Учёные из Пекинского университета представили транзистор, который может переопределить будущее микроэлектроники. Команда под руководством профессора Пенг Хайлина анонсировала кремниевый транзистор на основе двумерного материала — оксиселенида висмута (Bi2O2Se). Разработка использует архитектуру gate-all-around (GAAFET), где затвор полностью окружает канал, в отличие от частичного покрытия в традиционных FinFET-структурах. Это увеличивает площадь контакта, снижая утечку энергии и улучшая […]