Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае представили полупроводниковую память PoX, которая устанавливает мировой рекорд скорости записи данных — 400 пикосекунд (0,4 наносекунды) на бит. Это позволяет выполнять до 25 миллиардов операций в секунду, что в 12,5 тыс. раз быстрее предыдущего рекорда энергонезависимой флэш-памяти. Результаты работы открывают путь к созданию нового класса устройств хранения данных, способных […]