Международная группа учёных из Института молекулярной науки и Университета перспективных исследований совершила открытие, ставящее под сомнение устоявшиеся представления о сверхпроводимости. Используя методы анализа взаимодействия волн для изучения органических сверхпроводников, исследователи обнаружили аномально сильный эффект, связанный с хиральностью – свойством молекул быть несовместимыми со своим зеркальным отражением, подобно левой и правой руке. Это открытие не только […]
Исследователи из Лундского университета (Швеция) совершили прорыв в физике магнитных материалов, расширив знаменитое соотношение Лиддейна-Сакса-Теллера (LST) на область магнетизма. Работа впервые связала статическую магнитную проницаемость материала с частотами его магнитного резонанса, что открывает новые возможности для разработки электронных устройств следующего поколения. Соотношение LST, сформулированное в 1941 году, десятилетиями служило основой для понимания взаимодействия материалов с электрическими […]
В лаборатории Тель-Авивского университета учёные совершили прорыв в области электронных компонентов, применив явление сверхскольжения для улучшения работы компьютерной памяти. В вычислительной технике трения является серьёзной проблемой. Крошечные компоненты памяти работают на высоких скоростях и нуждаются в повышении эффективности, долговечности и снижении энергопотребления. Природа нашла способ создавать практически безфрикционные поверхности – явление, известное как сверхскольжение. Когда атомные […]
Исследователи Массачусетского технологического института (MIT) разработали полупроводниковый чип для генерации терагерцовых волн без использования громоздких кремниевых линз. Новая технология открывает путь к созданию компактных электронных устройств с расширенными возможностями передачи данных и визуализации. Терагерцовые волны, располагающиеся в электромагнитном спектре между радиоволнами и инфракрасным излучением, обладают уникальными свойствами. Их более высокие частоты позволяют передавать больше информации […]
Kioxia и SanDisk представили технологию производства флеш-памяти нового поколения. Компании анонсировали улучшенную версию 218-слойной 3D NAND-памяти с ускоренным интерфейсом и повышенной энергоэффективностью, а также поделились планами по разработке 332-слойной технологии. Партнёры по совместному предприятию продемонстрировали существенный прогресс в развитии технологии BiCS. Новое девятое поколение (BiCS 9) использует усовершенствованный интерфейс NAND в логическом слое CMOS в […]
Учёные обнаружили двумерный углеродный материал, который превосходит по прочности графен и обладает повышенной устойчивостью к образованию трещин. Этот материал, получивший название «монослойный аморфный углерод» (MAC), был синтезирован группой учёных под руководством Барбароса Озьилмаза в Национальном университете Сингапура. Согласно исследованию, MAC демонстрирует впечатляющие характеристики – он в восемь раз прочнее графена. Подобно графену, MAC является двумерным материалом […]
Учёные из Калифорнийского университета в Сан-Диего и CEA-Leti разработали схему питания, которая может значительно увеличить время работы миниатюрных устройств, таких как микродроны и другие микророботы. Новая конфигурация самоподдерживающейся схемы, использующая миниатюрные твердотельные батареи, сочетает в себе высокую плотность энергии с ультралёгкой конструкцией. Результаты исследования представлены на Международной конференции по твердотельным схемам IEEE (ISSCC 2025), которая […]
Американский технологический гигант Intel ведёт переговоры с тайваньской компанией TSMC о передаче контроля над своим производством микросхем. По информации источников, временный исполнительный председатель Intel Фрэнк Йери в последние месяцы вёл переговоры с представителями администрации Трампа и руководством TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) о сделке, которая предполагает разделение производственного и конструкторского подразделений Intel. Согласно плану, TSMC, […]