Управление DARPA построит в США фабрику по производству микроэлектроники нового поколения

Управление DARPA (Управление перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США) планирует построить в Техасе фабрику по производству микроэлектроники нового поколения. 

В рамках проекта бывший завод по производству микросхем, построенный ещё в 80-х, будет переоборудован в исследовательский завод нового поколения. На это выделены инвестиции в размере 1,4 млрд долларов. 

Новое предприятие будет заниматься трёхмерной гетерогенной интеграцией (3DHI), позволяющей объединять микросхемы разных типов и даже из разных материалов в одном корпусе. Конечная цель проекта — устранить большой разрыв между лабораторными инновациями и запуском соответствующих решений в производство.  

Через пять лет, как ожидается, программа перейдёт от государственного субсидирования к самоокупаемости, то есть там будут не только исследовать, но и серийно производить чипы для продажи. Возможно, исключительно в рамках государственных заказов.